也不易发生弯曲裂纹：开路模式4项解决方案比较如下）"MLCC的弯曲裂纹对策"总结MLCC发生弯曲裂纹的主要原因及过程电容器元件体内部发生裂纹，相对的内部电极导通时会发生弯曲裂纹。图2：弯曲裂纹发生的主要原因及过程元件体发生裂纹的*大原因是因为基板的弯曲应力。基板弯曲有多种原因，包括不当焊锡量导致的焊锡应力、印刷基板分割时的应力、螺丝紧固等情况导致的应力、*终组装时基板弯曲等制造时的问题以及使用时使其掉落、振动、热膨胀等。电容器元件体的电介陶瓷虽然抗压缩应力强，但抗拉伸应力弱。因此，对于焊锡接合的MLCC而言，受到来自基板方向的应力并发生弯曲后，容易发生元件体裂纹。此时，若相对的内部电极导通时，便会发生短路模式，若断线，则会发生开路模式的故障。发生*初时即使是开路模式，也会随着使用进一步发展成为弯曲裂纹。电容器元件体的裂纹若发展成为弯曲裂纹则可能导致发热、冒烟、起火，因此对于要求可靠性的设备而言设计中的对策不可或缺。弯曲裂纹对策中需特别注意的应用及基板从SMD封装到成套组装工序中发生的细微裂纹在产品被送往市场使用的过程中将可能逐步发展成为电容器元件体裂纹。质量比较好的陶瓷电容器的机构。大连高压取能瓷片电容器陶瓷电容器
EIA也有针对电容的温度系数有三个字的识别码。对于不是Class 1的非温度补偿型电容，第yi个字对应工作温度的下限，第二个字为数字，对应工作温度的上限，第三个字对应在上述温度范围内的电容值变动：字母（低温）数字（高温）字母（容值变动）X= −55 °C (−67 °F)2= +45 °C (+113 °F)D= ±3.3%Y= −30 °C (−22 °F)4= +65 °C (+149 °F)E= ±4.7%Z= +10 °C (+50 °F)5= +85 °C (+185 °F)F= ±7.5%6=+105 °C (+221 °F)P= ±10%7=+125 °C (+257 °F)R= ±15%8=+150 °C (+302 °F)S= ±22%T= +22 to −33%U= +22 to −56%V= +22 to −82%一个标示Z5U的电容，其工作温度为+10°C至+85°C，容值变动范围在+22%至−56%之间。标示X7R的电容，其工作温度为-55°C至+125°C，容值变动范围在±15%之间。大连高压取能瓷片电容器陶瓷电容器质量好的陶瓷电容器的找谁好？
特别是在上电较快的电源输入口处。低压但上电较快场合，建议加缓启动。高温会增加钽电容失效的概率，因此高温应用中需要增加电压降额。参数陶瓷电容电容量第yi类（NPO或COG），低容量、稳定性高；电性能*稳定，基本上不随温度、电压与时间的改变而改变；第二类（X7R），电介质常数较大，相同体积的容量要比第yi类要大20～70倍，但温度从-55℃到125℃范围变化时，容量变化一般在±10％，*大可达＋15％到-25％，第三类（Z5U），其电介常数较高，常用大容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R差；其容量可以做到第二类的5倍，然而容量、损耗对温度、电压等较为敏感，稳定性很差，当温度从-25℃到85℃变化时，容量变化为＋20％到-65％。ESRESR为几个mΩ到几百mom之间，容量越小ESR越大。ESR随温度变化呈线性，X7R介质，125℃下ESR为室温的20％，－55℃下则为室温的3倍多。NPO则较稳定，变化系数约为X7R的1/3。ESLESL随封装变化，一般0603和0805封装的ESL在良好布线情况下为1nH左右，1206和1210则为。板上工作频率范围高频滤波，种类较多，从数MHz直到数百MHz、1GHz上都可以。可靠性薄弱点及其避免易受温度冲击导致裂纹，主要由于在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致。
陶瓷电容器所允许加载的交流电压与电流同频率的关系主要受电容器的ESR影响；相对而言，C0G的ESR比较低，故可以承受比较大的电流，相应的所允许施加的交流电压相对比较大；X7R、X5R、Y5V、Z5U则ESR相对比较大，可承受比C0G要小，与此同时，由于电容量远大于C0G，故所施加的电压将远小于C0G。第yi类介质电容器的允许电压、电流与频率的关系第yi类介质电容器的允许电压、电流与频率的解读当加载频率相对较低时，即使加载交流电压为额定交流电压时，流过电容器的电流低于额定电流时，电容器允许加载额定交流电压，即左图的平直部分；当加载频率升高到即使加载电压没有达到交流额定电压时的电容器中流过的交流电流已达到额定电流值，这是需要降低电容器的加载交流电压，以保证流过电容器的电流不超过额定电流值，即左图的曲线开始下降部分；而加载频率继续上升，电容器的损耗因数而导致的发热则成为电容器的加载电压的主要限制因素，这是加载电压将随频率的上升而急剧下降，即中左图的曲线急剧下降部分与加载交流电压正相反，电容器加载的交流电流在频率较低时即使电流没有达到额定电流，但电容器上的交流电压已达到其额定值，这是加载的交流电流受电容器的额定电压限制。苏州海视达电子科技有限公司为您介绍使用陶瓷电容器需要注意的事项。
如图所示陶瓷电容器的ESR频率特点***类介质的陶瓷电容器特性阻抗频率特点第二类陶瓷电容器的特性阻抗频率特点陶瓷电容器的耗损因素与頻率的关联陶瓷电容器的特性阻抗频率特点陶瓷电容器的接地电阻与温度的关联耗损因素与温度的关联电容量与直流电偏置电压的关联***类介质电容器的电容量与直流电偏置电压不相干。第二类介质电容器的电容量随直流电偏置电压转变，如图所示。Y9V介质电容器的电容量随直流电偏置电压转变十分大，从无参考点时的**电容量降低到额定电流下的直流电偏置电压时无法得到额定值电容量的25%，换句话说10μF的电容量在额定电流时*为不上μF！在高溫时因为电容量早已降低到很低，因此这时候的电容量随直流电偏置电压的转变并不大。X7R介质电容器的电容量随直流电偏置电压转变虽较为大，可是比Y9V好很多。陶瓷电容器所容许载入的交流电流与电流量同頻率的关联关键受电容器的ESR危害；相对来说，C0G的ESR较为低，故能够承担较为大的电流量，相对的所容许释放的交流电流相对性较为大；X7R、X5R、Y9V、Z5U则ESR相对性较为大，可承担比C0G要小，此外，因为电容量远高于C0G，故所释放的工作电压将远低于C0G。安规电容器-海视达电子-Y1Y2国际认证-高新企业。大连高压取能瓷片电容器陶瓷电容器
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三种常见的陶瓷电容器及其特点陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质的电容器的总称，品种繁多，外形尺寸相差甚大。按使用电压可分为高压，中压和低压陶瓷电容器。按温度系数，介电常数不同可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数等。一般陶瓷电容器和其他电容器相比，具有使用温度较高，比容量大，耐潮湿性好，介质损耗较小，电容温度系数可在大范围内选择等优点。广fan用于电子电路中，用量十分可观。本文将介绍三种常见的陶瓷电容器及其特点。1、半导体陶瓷电容器的特点表面层陶瓷电容器，电容器的微小型化，即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，这是电容器发展的趋向之一。对于分离电容器组件来说，微小型化的基本途径有两个：使介质材料的介电常数尽可能提高；使介质层的厚度尽可能减薄。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但是用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难做得很薄。首先是由于铁电陶瓷的强度低，较薄时容易碎裂，难于进行实际生产操作，其次，陶瓷介质很薄时易于造成各种各样的组织缺陷，生产工艺难度很大。2、高压陶瓷电容器随着电子工业的高速发展。大连高压取能瓷片电容器陶瓷电容器