新生儿缺氧缺血性脑病(HIE)目前仍是新生儿围生期死亡和后期神经发育异常的重要原因。亚低温已被证实是治.疗HIE的有效手段,可提高患儿存活率并改善远期预后。aEEG和NSE测定可以作为监测HIE患儿严重程度的客观指标,同时可以帮助判断使用医用控温仪实施亚低温治.疗HIE患儿后的近期疗效;中度HIE患儿,不论是时间窗6 h内还是6~12 h行头部低温治.疗,同样都是有疗效的,当然越早治.疗越还不错。而重度HIE患儿,仅在6 h内接受亚低温治.疗尚有疗效;轻度HIE患儿即使不用行低温治.疗,预后也是较还不错的,远期的预后评估还需要长期随访,从而探讨轻度HIE患儿是否会发生远期的认知功能障碍等后遗症医护人员有必要在医用控温仪的使用过程中进行严格的监护。湖南医用控温仪售价
重度颅脑损伤患者需要应用较大量脱水药.物减轻高颅内压症状,脱水药.物可致失水,引起血液浓缩,体内热量排不出,从而引起高热。在治.疗过程中患者出现不明原因的发热、心率加快、血压降低、皮肤干燥、尿量减少,而红细胞压积增较大等与脱水有关的症状与体征。日出量>日入量,中心静脉压<0.490 kPa(正常值0.490~1.176 kPa,应考虑脱水热的可能。治.疗上应充分补充体液,根据病情调整脱水药的剂量和种类(常用药.物有氢氯噻嗪、呋.塞米、甘露醇)等。如患者有低血压则应先补充容量,提升血压,纠正水电解质紊乱,待血压正常后使用医用控温仪进行物理降温。湖南医用控温仪售价使用医用控温仪(医用控温毯)之前应该加入蒸馏水或注射用水,严禁加入酒精等溶剂。
中枢性发热是指因中枢神.经系统病变所引起的发热(非指炎症所致),其原因为视丘下部体温调节中枢异常所致。中枢性发热一般呈现异常性高热。临床上当确认为中枢性发热时,应严格除外全身性或局部性炎症病变所致的发热。引起中枢性发热的中枢病变部位近年来生理学研究指出脑的视丘下部是高位体温调节中枢,尤其是视丘下部的视束前区及视丘下部前部领域(Preoptic anterior hypothala-mic area,PO/AH)。亦有人认为温度感受性神经元的分布并不只限于PO/AH,因为将该处破坏后给予致热物质时仍可出现发热,故体温调节中枢尚不能完全只限于一个特定的部位。使用医用控温仪及时进行物理降温是对抗中枢性发热的重要方法之一。
再灌注治.疗是急性 ST 段抬高型心肌梗死(STEMI)重要的治.疗手段之一,然而血管再灌注过程本身会导致心肌再灌注损伤,因此如何减少再灌注损伤是目前关注的焦点。研究表明再灌注前使用医用控温仪实施亚低温治.疗可以缩小梗死面积,减少再灌注后的微血管性的心肌损伤。亚低温治.疗作为 STEMI 的辅助治.疗是个非常活跃的研究领域,临床研究表明使用医用控温仪实施亚低温治.疗是安全可靠的,且对于清醒患者耐受性还不错。再灌注前低温治.疗的核.心温度在 35℃以下是使 STEMI 患者心肌梗死程度减轻的重要组成部分,且低温治.疗应该越早越还不错,还不错在再灌注之前。再灌注之后的低温治.疗时间应尽可能相对缩短使用医用控温仪对颅脑损伤患者实施亚低温的方法行之有效。
随着我国围生医学的迅速发展及产科抢救技术的提高,中重度新生儿缺氧缺血性脑病(HIE)的发生率呈下降趋势。但目前,HIE仍然是造成婴幼儿脑性瘫痪(脑瘫)、智力低下、癫痫等疾病的重要原因之一。Kurinczuk等报道,HIE在发达国家发生率约为3%,在发展中国家可能更高。新生儿HIE的发病机制尚未完全阐明,缺乏明确有效的治.疗措施。近年来亚低温(mild hypothermia,MH)治.疗HIE成为国内外新生儿脑损伤研究的热点。多中心随机对照MH治.疗HIE的临床研究均证实,MH治.疗新生儿HIE是安全的,并可显.著改善HIE患儿神经系统的预后。目前使用医用控温仪实施亚低温治.疗是主要的手段,而国内使用上海福音FY-1008II医用控温仪进行新生儿缺氧缺血性脑病亚低温治.疗得到了普遍的认可。抢救心肺骤停儿童的措施并不多,使用医用控温仪的亚低温方法值得进一步研究。湖南医用控温仪售价
初次使用医用控温仪(医用控温毯)务必仔细阅读说明书。湖南医用控温仪售价
常见的体表物理降温方法主要有30%~50%乙醇擦浴、冰帽降温、冰水灌肠等,目前临床使用多、效果明确的是使用医用控温仪进行物理降温,将体温控制在37~38 ℃,以降低脑代谢率。如果颅内压增高可以进行亚低温(33~35 ℃)治.疗。当患者颅内压降至正常范围时,可停止亚低温治.疗。物理降温可能会引起患者寒战,其后果是显.著增加氧消耗,影响预后。因此,物理降温时要求每30 min测体温、脉搏、呼吸率、血压一次,并记录。临床上需要联合使用中枢镇.静药、肌肉松弛药等,综合治.疗颅脑损伤后出现的颅内压增高抽搐、肌肉张力增高等症状,从而达到降低体温的作用。湖南医用控温仪售价